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超深亚微米CMOS集成电路中子多比特翻转效应机理研究(关于超深亚微米CMOS集成电路中子多比特翻转效应机理研究简述)

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1、《超深亚微米CMOS集成电路中子多比特翻转效应机理研究》是依托电子科技大学,由李磊担任醒目负责人的联合基金项目。

文章到此就分享结束,希望对大家有所帮助。

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