采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法(关于采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法简述)

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1、《采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法》是中国科学院半导体研究所于2007年7月25日申请的专利，该专利的申请号为2007101194748，申请公布号为CN101355119，公布日为2009年1月28日，发明人是伊晓燕、王良臣、王国宏、李晋闽。该发明属于半导体技术领域，适用于垂直结构、自支撑衬底的高效发光二极管的制作。

2、《采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法》包括：在衬底上依次外延生长N型接触层、有源区和P型接触层；刻蚀，将器件隔离；在P型接触层上制作ITO光学膜；在ITO光学膜上制作光学高反膜，部分区域裸露；在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作金属膜，构成器件的P电极；将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。

3、2013年10月，《采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法》获得第十五届中国专利优秀奖。

4、（概述图为《采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法》摘要附图）

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